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SOI芯片光电探测器阵列

更新时间：2023-08-03 点击次数：436

SOI芯片光电探测器阵列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。

〖特性Features〗

n 多通道

Multi-channels

n 高集成度芯片化

Chip based

n 大模拟带宽

Large electrical bandwidth

〖应用Applications〗

n 光纤传感

Optical fiber sensor

n 光纤通信

Optical fiber communications

n 激光雷达

LiDAR system

〖性能指标Specifications〗

参数指标 Parameters	单位 Unit	最小值 Min.	典型值 Typ.	最大值 Max.	备注 Notes
波长范围 Wavelength range	nm	1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
暗电流 Dark current	nA	35		50
3 dB模拟带宽 3 dB bandwidth	GHz			28
光饱和功率 Optical saturation power	mW	10
响应度 Responsibility	A/W	0.8		0.85
90度光学混频器损耗 90°mixer loss	dB	6	6.5	6.7
90度光学混频器相位失衡度 90°mixer phase unbalance	°	5
通道数 Number of channels		8或可定制 8 or Can be customized
光纤接入损耗 Insertion loss	dB	≤0.5
偏振相关损耗 PDL	dB	≤0.3
工作温度范围 Operating temperature range	°C	-20		50
工作湿度范围 Operating humidity range	%			+65
芯片尺寸 Chip Dimensions	mm	4(L)×5(W)×0.5(H)