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硅基纳秒高速光衰减器1550nm

简要描述:硅基纳秒高速光衰减器1550nm
具备支持暗光(Dark)型能力,功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片,具有百纳秒级的响应速度,八通道单片集成,功耗低,满足光传输、光传感系统对光衰减器高速响应、小型化、高可靠的需求。其响应速度比传统VOA提升4个数量级,达到100ns级,使WDM光网络中光功率快速控制成为可能。此外,其超低的光损耗可满足民用光网络应用要求,集成度有助于大

  • 产品型号:ZG-VOA-NS
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2023-08-14
  • 访  问  量:546

详细介绍

品牌梓冠价格区间1-500
组件类别光学元件应用领域化工,能源,电子,电气,综合
波长1260~1650nm

 

高速可调光衰减器

简介

高速可调光衰减器具备支持暗光(Dark)型能力,功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片,具有百纳秒级的响应速度,八通道单片集成,功耗低,满足光传输、光传感系统对光衰减器高速响应、小型化、高可靠的需求。其响应速度比传统VOA提升4个数量级,达到100ns级,使WDM光网络中光功率快速控制成为可能。此外,其超低的光损耗可满足民用光网络应用要求,集成度有助于大幅度减小模块尺寸,纯固态波导芯片使其具备可靠性。

特性                    应用

100ns级高速响应             通道间光功率均衡或阻塞

多至48通道单片集成         模拟信号调制

全固态波导芯片              

超低光损耗

主要指标(典型值)

性能指标

单位

吸收型

备注

工作波长

nm

15251565


响应时间

ns

100-300


插入损耗

dB

1.2

光纤进到光纤出的损耗

衰减范围

dB

25


偏振相关性

dB

0.3

@0dB衰减时

0.5

@0~25dB衰减时

功耗(@18dB衰减)

mW

150

随衰减量增大而增大

电压

V

1.2


电流

mA

0-35


集成度

/

6CH/48CH




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