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高速SOI芯片光电探测器阵列

简要描述:高速SOI芯片光电探测器阵列,该产品基于硅基锗-硅光电探测器,实现了多通道光电探测器的单片化集成,可片上集成光学混频器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相关性小,模拟带宽大,可提供裸片或光电一体化封装产品方案。

  • 产品型号:ZG
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2023-08-07
  • 访  问  量:420

详细介绍

品牌梓冠

SOI芯片光电探测器阵列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光电探测器阵列,该产品基于硅基锗-硅光电探测器,实现了多通道光电探测器的单片化集成,可片上集成光学混频器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相关性小,模拟带宽大,可提供裸片或光电一体化封装产品方案。

Chip-based multi-channel photodetector array is a product based on Ge-Si SOI platform. This product achieved the integration of multi-channel photodetectors on a single SOI chip. The MMI-based optical hybrider/mixer could also be integrated on the chip. It is capable of tiny polarization sensitivity and large electrical bandwidth. Both the die products and chip package solutions are provided.

 

〖性能指标Specifications〗

 

参数指标

Parameters

单位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

备注

Notes

波长范围

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

暗电流

Dark current

nA

35

 

50

 

3 dB模拟带宽

3 dB bandwidth

GHz

   

28

 

光饱和功率

Optical saturation power

mW

10

     

响应度

Responsibility

A/W

0.8

 

0.85

 

90度光学混频器损耗

90°mixer loss

dB

6

6.5

6.7

 

90度光学混频器相位失衡度

90°mixer phase unbalance

°

5

     

通道数

Number of channels

 

8或可定制

8 or Can be customized

 

光纤接入损耗

Insertion loss

dB

≤0.5

 

偏振相关损耗

PDL

dB

≤0.3

 

工作温度范围

Operating temperature range

°C

-20

 

50

 

工作湿度范围

Operating humidity range

%

   

+65

 

芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

4(L)×5(W)×0.5(H)

 

 

 

             高速SOI芯片光电探测器阵列

高速SOI芯片光电探测器阵列

 

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