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单片集成 9bit 可调光延时线芯片

简要描述:单片集成 9bit 可调光延时线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术,是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构,芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路,延时切换时间达到 200ns 以下,最大总时延量 1022ps;延时精度 0.5ps,片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit

  • 产品型号:ZG
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2023-10-19
  • 访  问  量:366

详细介绍

品牌梓冠

硅基单片集成 9bit 可调光延时线芯片

〖简介Introduction〗

单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术,是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构,芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路,延时切换时间达到 200ns 以下,最大总时延量 1022ps;延时精度 0.5ps,片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit。相比于传统采用微波传输线的电时延芯片,光时延器可以适用任意的微波和毫米波频段,具有极低的串扰非目标时延信号消光比。最大时延 1ns 的 9bit 可调光延时芯片尺寸小至 2cm×1.5cm,大幅度减小系统体积;由于光载波频率相对于微波信号大至 4 个数量级的频率比,光子集成的时延器芯片具有覆盖从米波到毫米波全频段的信号处理能力,适合各类超宽带相控阵的波束合成应用。

〖特性Features

n 高速切换(100~200ns)

n 高延时精度(0.5ps 典型值,0.2ps 可达)

n 超小尺寸

n 超宽带工作

n 全固态波导芯片可靠性强

n 大时延范围(~2ns 可达)

n 高功率耐受度( 23dBm 典型值)


应用Applications〗

n 光控相控阵系统、超宽带光域信号处理

主要性能指标 Specifications

性能指标/Parameter

单位/Unit

典型值/Typ.

备注/Notes

工作波长/Operationwavelength

nm

1530-1570


延时位数/Delay bits

/

9

可定制/Can be customized

最小延时步进/Min.step-delay

ps

2

可定制/Can be customized

可调节最大延时量/Adjustable max.delay

ps

1022


延时精度

ps

±0.5

16ps 延时量

±1

18~64ps 延时量

±2

66~512ps 延时量

±3

514~1022ps 延时量

延时切换时间/Delay switching time

ns

200


插入损耗/Insertion loss

dB

11

13dB max

各延时态损耗差异/Delay state loss difference

dB

±1


耐受光功率

dBm

23

26dBm max

波损耗/Return loss

dB

45


芯片尺寸/Chip dimension

mm

20×15×0.7


















单片集成 9bit 可调光延时线芯片

单片集成 9bit 可调光延时线芯片



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