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SOI芯片光电探测器集成度高

简要描述：SOI芯片光电探测器集成度高，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。

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品牌	梓冠

SOI芯片光电探测器阵列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。

〖性能指标Specifications

参数指标 Parameters	单位 Unit	最小值 Min.	典型值 Typ.	最大值 Max.	备注 Notes
波长范围 Wavelength range	nm	1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
暗电流 Dark current	nA	35		50
3 dB模拟带宽 3 dB bandwidth	GHz			28
光饱和功率 Optical saturation power	mW	10
响应度 Responsibility	A/W	0.8		0.85
90度光学混频器损耗 90°mixer loss	dB	6	6.5	6.7
90度光学混频器相位失衡度 90°mixer phase unbalance	°	5
通道数 Number of channels		8或可定制 8 or Can be customized
光纤接入损耗 Insertion loss	dB	≤0.5
偏振相关损耗 PDL	dB	≤0.3
工作温度范围 Operating temperature range	°C	-20		50
工作湿度范围 Operating humidity range	%			+65
芯片尺寸 Chip Dimensions	mm	4(L)×5(W)×0.5(H)

S SS 光电探测器集成度高

SOI芯片光电探测器集成度高

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