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SOI芯片光电探测器集成度高

简要描述:SOI芯片光电探测器集成度高,该产品基于硅基锗-硅光电探测器,实现了多通道光电探测器的单片化集成,可片上集成光学混频器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相关性小,模拟带宽大,可提供裸片或光电一体化封装产品方案。

  • 产品型号:ZG
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2023-08-07
  • 访  问  量:316

详细介绍

品牌梓冠

SOI芯片光电探测器阵列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光电探测器阵列,该产品基于硅基锗-硅光电探测器,实现了多通道光电探测器的单片化集成,可片上集成光学混频器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相关性小,模拟带宽大,可提供裸片或光电一体化封装产品方案。

 

〖性能指标Specifications



参数指标

Parameters

单位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

备注

Notes

波长范围

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

暗电流

Dark current

nA

35

 

50

 

3 dB模拟带宽

3 dB bandwidth

GHz

   

28

 

光饱和功率

Optical saturation power

mW

10

     

响应度

Responsibility

A/W

0.8

 

0.85

 

90度光学混频器损耗

90°mixer loss

dB

6

6.5

6.7

 

90度光学混频器相位失衡度

90°mixer phase unbalance

°

5

     

通道数

Number of channels

 

8或可定制

8 or Can be customized

 

光纤接入损耗

Insertion loss

dB

≤0.5

 

偏振相关损耗

PDL

dB

≤0.3

 

工作温度范围

Operating temperature range

°C

-20

 

50

 

工作湿度范围

Operating humidity range

%

   

+65

 

芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

4(L)×5(W)×0.5(H)

 

 

 

 

 

    S      SS       光电探测器集成度高

SOI芯片光电探测器集成度高

SOI芯片光电探测器集成度高

 

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