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单片集成 10bit 可调光延时器芯片高速切换

简要描述：单片集成 10bit 可调光延时器芯片高速切换将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产

产品型号：梓冠
厂商性质：生产厂家
更新时间：2025-05-10
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品牌	梓冠

SOI芯片光延时线

一、SOI芯片光延时线的定义
SOI芯片式低偏振相关损耗可调光延时线，该产品基于级联的高速光开关和延时光路组成，实现大量程、高精度量化可调光延时线的片上集成，本产品通过创新设计实现了超低偏振相关性损耗，芯片尺寸小，集成度高，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
二、SOI芯片光延时线的特点
多通道
高集成度芯片化
高速响应
三、SOI芯片光延时线的应用
光纤传感
光纤通信
激光雷达

四、SOI芯片光延时线的性能指标

参数指标	单位	最小值	典型值	最大值
波长范围	nm	1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
单级热调功耗	mW			100
单级电调功耗	mW			10
光纤接入损耗	dB			12@9 bit
偏振相关损耗	dB			0.5
延时量精度	ps			30@2048 pS
延迟步进	ps	2
平坦度	dB	<0.5 dB@2048 pS
响应速率	Hz	>20kHz@热调试模式，>10MHz@电调模式
最大延时量	ps	1024/2048 或可定制
延时量量化位数	bit	10或可定制
通道数		1或可定制
工作温度范围	℃	-20		50
工作湿度范围	%			+65
芯片尺寸	mm	8.1(L)x2.3(W)x0.5(H)

五、SOI芯片光延时线的芯片尺寸

单片集成 10bit 可调光延时器芯片高速切换

六、四川梓冠光电SOI芯片光延时线订货信息

波长	类型	通道数
13=1310nm 15=1550nm	10-2048=10 bit，2048 ps XX=other	1=1CH，4=4CH，8=8CH，16=CH 48=48CH，XX=0ther

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